Транзисторы биполярные и IGBT

Оригинальный эпитаксиальный NPN-транзистор BCP56 от ON Semiconductor с током коллектора до 1А и напряжением коллектор-эмиттер до 80В. Прибор инкапсулирован в корпус SOT-223 и предназначен для применения в аудио усилителях. Составляет комплементарную пару с транзистором BCP53.

Оригинальный кремниевый биполярный транзистор структуры PNP от ON Semiconductor в корпусе SOT-223 с максимальным током 1.5А на напряжение не более 80В для использования в аудиоусилителях. Составляет комплементарную пару с транзистором BCP56.

Оригинальный быстродействующий IGBT-транзистор (NPN) от ON Semiconductor в корпусе TO-247 с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер 1.8 В при токе коллектора 40 А.

Составной NPN-транзистор Дарлингтона общего назначения в корпусе TO-126 на напряжение до 80В и ток коллектора до 4А

Оригинальный составной NPN-транзистор Дарлингтона общего назначения от STMicroelectronics в корпусе TO-220 на напряжение до 100В и ток 8А

Оригинальный составной транзистор общего назначения структуры PNP от ON Semiconductor в корпусе TO-220AB (CASE 221A) на напряжение до 80В и ток коллектора 8А.

Оригинальный NPN-транзистор от ON Semiconductor для мощных усилителей тока в корпусе TO-220 на напряжение до 80В и ток коллектора 15 А с коэффициентом усиления по току h21э от 20 до 150.

Оригинальный силовой высоковольтный NPN-транзистор от Inchange Semiconductor Company Limited в корпусе TO-3P(H)IS. Напряжение коллектор-эмитер 600 В (макс), коллектор-база 1500 В, предельный ток нагрузки 16 А, напряжение насыщения 5 В при токе коллектора 5А.

Оригинальный транзистор структуры n-p-n от NXP Semiconductors для импульсных преобразователей в корпусе TO220AB на напряжение до 700В и ток коллектора 12А.

Оригинальный силовой NPN-транзистор от STMicroelectronics в корпусе TO-247 с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер для усилителя мощности НЧ, образующий комплементарную пару с PNP-транзистором TIP36C.

Оригинальный PNP-транзистор от STMicroelectronics в корпусе TO-247 с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер для усилителя мощности НЧ, образует комплементарную пару с NPN-транзистором TIP35C.

Оригинальный PNP-транзистор от Inchange Semiconductor Company Limited в корпусе TO-3PI для усилителя мощности звуковой частоты, образующий комплементарную пару с NPN-транзистором 2SD718.

Оригинальный NPN-транзистор от UNISONIC Technologies Co., LTD в корпусе TO-3PL для высококачественного усилителя мощности звуковой частоты (УМЗЧ), образующий комплементарную пару с PNP-транзистором 2SA1943L.

Оригинальный PNP-транзистор 2SA1943 от UNISONIC Technologies Co., LTD в корпусе TO-3PL для применения в выходных каскадах высококачественных аудиоусилителей мощности звуковой частоты (УМЗЧ) мощностью 100 Вт. Образует комплементарную пару с NPN-транзистором 2SC5200L.

Транзистор общего назначения структуры P-N-P от Diotec Semiconductor AG в корпусе TO-92 (10D3) на напряжение до 40 В и ток коллектора до 200 мА с коэффициентом усиления по току h21e от 30 до 300